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IRFIBF30GPBF规格书详情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
• Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRFIBF30GPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
689 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
14+ |
TO220F |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO220F |
1709 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
TO220F |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO220F |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
VISHAY |
TO220F |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
VISHAY |
25+23+ |
TO220F |
8856 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
