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IRFIZ46N	文件：104.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=33A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：104.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIZ46NPBF	文件：228.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：228.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFIZ46N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=33A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL024NTRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-223	IR 国际整流器上传：深圳市创芯联盈电子有限公司	IR
IRFL024ZTRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-223	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFIZ46N
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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