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IRFL014	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=2.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •FastSwitching •E	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount, Fast Switching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •FastSwitching •Eas	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014PBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014TR	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014TRPBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014_10	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014_V01	文件：296.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014NPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014NPBF_15	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFL014PBF	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014TR	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014TRPBF	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL014TRPBFA	文件：296.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

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详细参数

型号：
IRFL014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFL014供应商更新时间2024-4-27 15:00:00

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