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IRFL014	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=2.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •FastSwitching •E	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	Marking：FL014N；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET®MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount, Fast Switching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •FastSwitching •Eas	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFL014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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