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IRFIBC20G	文件：167.28 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDist.=4.8	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRFIBC20G
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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