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IRFIBC20GPBF
厂商型号

IRFIBC20GPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

920.46 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-17 23:00:00

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IRFIBC20GPBF规格书详情

DESCRIPTION

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS

• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRFIBC20GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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