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|---|---|---|---|---|
IRFIZ34E | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.042ohm, Id=21A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated) | IRF International Rectifier | IRF | |
HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide | IRF International Rectifier | IRF |
详细参数
- 型号：
IRFIZ34E
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
TO-220F |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
询价 | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IR |
1822+ |
TO-220F |
9852 |
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INTERSIL |
23+ |
65480 |
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IR |
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TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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更新时间2025-5-20 11:04:00
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