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IRFIZ34E

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.042ohm, Id=21A)

Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated)

文件:114.58 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFIZ34EPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

文件:262.04 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFIZ34E

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.042ohm, Id=21A)

Infineon

英飞凌

IRFL024NTRPBF

IR
SOT-223

IR

国际整流器

上传:深圳市创芯联盈电子有限公司

IRFL024ZTRPBF

IR
SOT-223

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFIZ34E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原装,现货库存长期供应
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24+
原厂封装
5000
原装现货假一罚十
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24+
TO-220FullPak(Iso)
8866
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IR
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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INTERSIL
23+
65480
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23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
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Infineon
22+
NA
2118
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IR
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TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
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IR
21+
TO-220F
10000
原装现货假一罚十
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更多IRFIZ34E供应商 更新时间2025-10-7 11:04:00