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IRFIBC30GPBF	文件：1.31819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz) • Sink 文件：1.31819 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：288.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：288.34 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIBC30GPBF	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：278.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

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更多IRFIBC30GPBF供应商更新时间2025-10-4 14:14:00