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IRFIB7N50LPBF	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB7N50LPBF	文件：204.61 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio	IRF International Rectifier	IRF
KF7N50	文件：1.22508 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KF7N50D	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50F	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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详细参数

型号：
IRFIB7N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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