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IRFIB8N50K	文件：147.57 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB8N50KPBF	文件：173.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP8N50	文件：296.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=800mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP8N50PM	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA8N50P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP8N50P	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP8N50PM	文件：112.09 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MS8N50	文件：413.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

详细参数

型号：
IRFIB8N50K
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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