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IRFIBC30	文件：169.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	IRF International Rectifier	IRF
IRFIBC30G	文件：169.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	IRF International Rectifier	IRF
IRFIBC30G	文件：1.31819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIBC30G	文件：319.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.2Ω(MAX) •Enhancementmode:Vth=2to4V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIBC30GPBF	文件：288.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	IRF International Rectifier	IRF
IRFIBC30GPBF	文件：1.31819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIBC30G	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIBC30G	文件：929.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIBC30G_V01	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFIBC30
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)

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