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IRFIBC20	文件：167.28 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDist.=4.8	IRF International Rectifier	IRF
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IRFIBC20GPBF	文件：920.46 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDist.=4.8	IRF International Rectifier	IRF
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IRFIBC20G	文件：319.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFIBC20
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)

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