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IRFIBC30G	文件：1.31819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz) • Sink 文件：1.31819 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30G	文件：319.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =2.2Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：319.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIBC30G	文件：169.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A) Description Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：169.15 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFIBC30G	文件：929.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：929.66 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30G	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：278.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：1.31819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz) • Sink 文件：1.31819 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：288.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：288.34 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIBC30G_V01	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：278.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30GPBF	文件：278.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：278.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBC30G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFIBC30G
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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