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IRFI820G_V01	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

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IRFI820G_V01

文件：919.6 Kbytes

Page：10 Pages

Power MOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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更多IRFI820G_V01供应商更新时间2024-6-15 16:30:00

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