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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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STTO220AB

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ST/意法TO-220

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ST(意法)TO-220(TO-220-3)

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深圳市东来宝电子科技有限公司

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STMTube

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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ST/意法原装正品TO-220

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STTO-220

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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ST/意法半导体TO-220-3

4650

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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ST(意法)TO-220(TO-220-3)

22412

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ST/意法

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深圳市清腾科技有限公司

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ST/意法TO220

20000

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原装

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TIP122 原厂原装，保证正品。中平科技有限公司在线咨询QQ：2880179170

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TIP122 NPN 达林顿晶体管对 8A Vce=100V HFE=1000 TO-220 ST意法

深圳市轩嘉盛电子有限公司TIP122 NPN 8A Vce=100V HFE=1000 TO-220 ST意法

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全新原装，正品现货，长期供应STM32F407VGT6 STM32F105VCT6 M95080-WMN6TP STM8S207R8T6 VIPER12ASTR STM8S007C8T6 LM393DT STM32F373CCT6 VIPER12A STM32F072C8T6 STM8S003K3T6C LM324DT

TIP122

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TIP122中文资料Alldatasheet PDF

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TIP122功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

TIP122-BP功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A 65W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

TIP122F制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

TIP122FP功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

TIP122FP_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

TIP122FP_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors

TIP122G功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

TIP122L-T60-K制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

TIP122L-TA3-T制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

TIP122-S功能描述:达林顿晶体管 NPN DARLINGTON 100V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号：

    TIP122

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    4V @ 20mA，5A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 3A，3V

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 5A TO220

晶体管资料

  • 型号：

    TIP122

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    100V

  • 最大电流允许值：

    5A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD267B,BD649,BD701,BD901,BDW23C,BDW63C,FH7D,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍数：

    β>1000

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

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