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IRF9410	文件：114.86 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：114.86 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9410	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9410PBF	文件：170.29 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：170.29 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9410PBF	文件：175.74 Kbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：175.74 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9410PBF_15	文件：175.74 Kbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：175.74 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF9410TRPBF	文件：175.74 Kbytes Page：7 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：175.74 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
30.0mΩ
RDS (on) max：
30.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
50.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
5.8A
ID (@ TA=25°C) max：
7.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
18.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V
Qgd ：
4.9nC

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更多IRF9410供应商更新时间2025-10-4 15:01:00

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