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IRF9540NS	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：187.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9540NS	文件：297.37 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9540NS	文件：1.09268 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09268 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9540NSPBF	文件：331.4 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A ) Description Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. ● Advanced Proces 文件：331.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSTRL	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：187.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSTRLPBF	文件：3.53757 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F9540NS；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application + DC/DC Converter « Portable equipment and batt « Power Switch 文件：3.53757 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF9540NS/L	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：311.78 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSPBF	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：332.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSPBF_15	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：332.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSSLASHL	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：311.78 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF9540NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
117 mΩ
ID @25°C max：
-23 A
QG typ @10V：
73 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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