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IRF9540NSPBF	文件：331.4 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A ) Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSPBF	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSPBF_15	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSSLASHL	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSTRL	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSTRLPBF	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540NSTRLPBF	文件：3.53757 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Application +DC/DCConverter «Portableequipmentandbatt «PowerSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRF9540NSTRRPBF	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9540PBF	文件：1.68672 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9540PBF	文件：4.20729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF9540NSPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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