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IRF9540NSTRLPBF资讯
IRF9540NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9540NS制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single P-Channel 100 V 3.8 W 97 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF9540NS/L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRF9540NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -23A,D2pak
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IRF9540NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF9540NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540NSTRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540NSTRRPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































