IRF9540NSTRRPBF

制造商编号：

IRF9540NSTRRPBF

制造商：Infineon Technologies

说明：

MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC

寿命周期: 寿命结束: 将过时且制造商将停产。

数据表:

IRF9540NSTRRPBF 数据表 (PDF)

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 64.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 3.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 51 ns

正向跨导 - 最小值: 5.3 S

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 67 ns

800

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 51 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg