IRF5210PBF

制造商编号：

IRF5210PBF

制造商：Infineon Technologies

说明：

MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC

数据表:

IRF5210PBF 数据表 (PDF)

ECAD模型:为｛0｝构建或请求PCB符号、占位面积或型号下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 120 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 4.4 mm

单位重量: 2 g