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IRF9540NSTRL	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：187.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSTRLPBF	文件：3.53757 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F9540NS；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET Application + DC/DC Converter « Portable equipment and batt « Power Switch 文件：3.53757 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF9540NSTRLPBF	文件：332.36 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：332.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540NSTRRPBF	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：311.78 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9540PBF	文件：1.68672 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.68672 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF9540PBF	文件：4.20729 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：4.20729 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

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