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IRF9Z34NPBF	文件：245.08 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 POWER MOSFET HEXFET®PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z34NPBF_15	文件：246.05 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF9Z34N	文件：247.18 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADEAdvancedPlanarTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF9Z34N	文件：1.07034 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology Features •AdvancedPlanarTechnology •P-ChannelMOSFET •DynamicdV/dTRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated •RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified*	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
F9Z34NS	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
GEF9Z34N	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
IIRF9Z34N	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34	文件：7.49754 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedP-Channel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34	文件：2.09213 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z34	文件：280.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34L	文件：334.68 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.14ohm,Id=-18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z34L	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z34LPBF	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z34LPBF	文件：1.21157 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z34N	文件：108.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z34N	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34N	文件：1.07034 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NL	文件：1.19237 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NL	文件：273.72 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34NL	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRF9Z34NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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