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IRF9Z30	文件：427.3 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETS -50Volts,0.14Ohm,HEXFETTo-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpwoerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9Z30	文件：140.09 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET FEATURES •P-channelversatility •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformation	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z30	文件：261.64 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching	VishayVishay Siliconix 威世科技
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IRF9Z30	文件：280.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF9Z30_V01	文件：140.09 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET FEATURES •P-channelversatility •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformation	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9Z30PBF	文件：262.42 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
IRF9Z30
功能描述：
MOSFET P-Chan 50V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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