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IRF9Z30PBF

HEXFET POWER MOSFET

文件:262.42 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF9Z30PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世科技

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    50V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    140 mΩ @ 9.3A,10V

  • 类型:

    P 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    74W(Tc)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SEC
24+/25+
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原装正品现货库存价优
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IR
24+
TO-220
200
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Vishay Siliconix
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IRF9Z30
50
50
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更多IRF9Z30供应商 更新时间2025-10-8 14:30:00