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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF9910PBF | HEXFET짰Power MOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●20VVGSMax.GateRating Applications ●DualSO-8MOSFETforPOLconvertersindesktop,servers,graphicscards,gameconsolesandset-topbox ●Lead-Free | IRF International Rectifier | IRF | |
IRF9910PBF | Fully Characterized Avalanche Voltage and Current | IRF International Rectifier | IRF | |
IRF9910PBF | Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge | IRF International Rectifier | IRF | |
Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge | IRF International Rectifier | IRF | ||
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current | IRF International Rectifier | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package | IRF International Rectifier | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package | IRF International Rectifier | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF9910PBF
- 功能描述：
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOP |
14297 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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IRF |
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NA |
19960 |
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IR |
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IR |
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SOP-8 |
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International Rectifier |
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SOP-8 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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IR |
21+ |
SOP8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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