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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF9910PBF | HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Gate Charge ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating Applications ● Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box ● Lead-Free 文件：205.48 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF9910PBF | Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF9910PBF | Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：299.43 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：264.91 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：264.91 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VDS max：
20.0V
- RDS (on) max：
13.4mΩ
- RDS (on)(@10V) max：
13.4mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max：
18.3mΩ
- Polarity ：
N+N
- ID (@ TA=70°C) max：
9.9A
- ID (@ TA=25°C) max：
12.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
- QG ：
7.4nC
- RthJA max：
62.5K/W
- Moisture Sensitivity Level ：
1
- Qgd(typ) ：
2.5nC
- Tj max：
150.0°C
- VGS max：
20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
SOP-8 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOP8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP |
18502 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
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