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IRF9910PBF-1中文资料20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF9910PBF-1

功能描述

20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF9910PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :20.0V

  • RDS (on) max

    :13.4mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :13.4mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :18.3mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.9A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :12.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.0W

  • QG 

    :7.4nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :2.5nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

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