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IRF9530NPBF	文件：123.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：123.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9530NPBF	文件：1.65887 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Power Switch • Load Switch in High Current Applications • DC/DC Converters 文件：1.65887 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF9530NPBF	文件：231.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：231.44 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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