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IRFF9120	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET 4A,100V,0.60Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringh	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9120	文件：42.42 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9120	文件：94.75 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9120	文件：278.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9120	文件：314.14 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR/U9120N	文件：3.88766 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9120	文件：73.44 Kbytes Page：7 Pages	5.6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseadvancedpowerMOSFETsaredesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheyareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR9120	文件：173.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-5.6A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternatioalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR9120) •StraightLead	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9120	文件：4.04661 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRFF9120
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 4A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -100V 4A TO-205
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF
功能描述：
Single P-Channel 100 V 20 W 16.3nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-4A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
600mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市拓亿芯电子有限公司	IRFF9120	IR	23+	CAN3	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价

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