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IRFH5006TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

Features and Benefits Features Low RDSon (≤ 4.1mΩ) Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.8°C/W) 100 Rg tested Low Profile (≤ 0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halo

文件:335.61 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5007TRPBF

QFN

IR

国际整流器

上传:深圳市宝隆宏业科技有限公司

IRFH5007TRPBF

QFN

IR/INFINEON

IRFH5010TRPBF

QFN

INFINEON/英飞凌

IRFH5010TRPBF

QFN

详细参数

  • 型号:

    IRFH5006TR2PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFH5006TR2PBF供应商 更新时间2026-2-1 16:01:00