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IRFH5015TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

Features Low RDSon (

文件:225.05 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5015TRPBF

QFN8

INFINEON/英飞凌

IRFH5015TRPBF

QFN8

IRFH5250TRPBF

QFN

IRFH5300TRPBF

QFN

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市维尔达电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFH5015TR2PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 150V 56A 31mOhm 33nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFH5015TR2PBF供应商 更新时间2026-1-26 14:58:00