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IRF840S

IRF840S

IRN/A

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IRF840S

IRD2-PAK

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上海金庆电子技术有限公司

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IRF840S

APECTO-263(S)

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRF840S

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IRF840STRLPBF

VISHAYD2PAK

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IRF840STRPBF

VISHAYN/A

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IRF840STRLPBF

VISHAY/威世TO-263

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VISHAY/威世TO-263

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IRTO-263

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VISHAY原厂原装

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VISHAY/威世TO-263

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VISHAYN/A

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VISHAYTO-263

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Vishay原装优势现货

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原装优势现货

深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAY(威世)N/A

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IRTO-263

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一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务

深圳博中泰实业有限公司

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IRTO-263

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IRF840S62

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深圳市轩嘉盛电子有限公司 IRF840S TO263 500V 8A N沟道 IR

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IRF840S功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF840SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF840ST制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

IRF840STR制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET

IRF840STRL功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF840STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF840STRR功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF840STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube