| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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19年
留言
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APECTO-263(S) |
5000 |
全新原装 |
全新 发货1-2天 |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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3年
留言
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VISHAYD2PAK |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
6000 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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6年
留言
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VISHAY/威世明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
18+ |
TO-263 |
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13年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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IRTO-263 |
800 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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11年
留言
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VISHAY原厂原装 |
4750 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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7年
留言
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VISHAYN/A |
39800 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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2年
留言
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VISHAYTO-263 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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12年
留言
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Vishay原装优势现货 |
21600 |
25+ |
原装优势现货 |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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IRTO-263 |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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2年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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18年
留言
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IRTO-263 |
2435 |
24+ |
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19年
留言
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IRF840S62 |
62 |
25+ |
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IRF840S图片
IRF840SPBF价格
IRF840SPBF价格:¥3.4325品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF840SPBF多少钱,想知道IRF840SPBF价格是多少?参考价:¥3.4325。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF840SPBF批发价格及采购报价,IRF840SPBF销售排行榜及行情走势,IRF840SPBF报价。
IRF840S资讯
IRF840S MOSFET TO263 500V 8A N沟道 IR
深圳市轩嘉盛电子有限公司 IRF840S TO263 500V 8A N沟道 IR
IRF840S IR/整流器 TO-263 500V/8.0A PDF资料 功率MOS管 场效应管 原装
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRF840S TO-263 500V/8.0A
IRF840S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF840S功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF840SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF840ST制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
IRF840STR制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF840STRL功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF840STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF840STRR功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF840STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



























