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IRF840S	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840S	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840S	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirement •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840S	文件：145.74 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF840S	文件：100.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF840S	文件：1.53193 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF840S	文件：1.55834 Mbytes Page：7 Pages	Available in Tape and Reel	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF840S	文件：297.23 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840S_V01	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirement •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840SPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF840S
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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