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IRF840S	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：1.03948 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840S	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirement • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet 文件：198.19 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840S	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It 文件：172.32 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF840S	文件：100.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：100.52 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
IRF840S	文件：297.23 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：297.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF840S	文件：1.53193 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.53193 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRF840S	文件：1.55834 Mbytes Page：7 Pages	Available in Tape and Reel 文件：1.55834 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF840S	文件：145.74 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET 文件：145.74 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
IRF840S_V01	文件：198.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirement • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet 文件：198.19 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840SPBF	文件：689.31 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It 文件：689.31 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF840S
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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