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IRF9520	文件：57.96 Kbytes Page：7 Pages	6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET 6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicati	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9520	文件：282.59 Kbytes Page：9 Pages	Fast Switching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9520	文件：371.59 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9520	文件：283.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9520	文件：159.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9520N	文件：95.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NL	文件：155.56 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NL	文件：1.16491 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9520NPBF	文件：156.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NPBF	文件：2.90404 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF9520
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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