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IRF9540	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
IRF9540	文件：125.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540	文件：59.77 Kbytes Page：7 Pages	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
IRF9540	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
IRF9540	文件：424.12 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS Description TheIRF9540,IRF9541,IRF9542,IRF9543,RF1S9540,andRF1S9540SMareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttran	HARRIS HARRIS corporation
IRF9540	文件：685.64 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plas ti c-E n c a p s u late MOSFETS FEATURES ·DrainCurrent–ID=-19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
IRF9540	文件：4.20729 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF9540	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9540	文件：280.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF9540	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
IRF9540	文件：1.68672 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9540N	文件：125.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540N	文件：738.06 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF9540NL	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540NL	文件：1.22225 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF9540NLPBF	文件：331.4 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A ) Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540NPBF	文件：2.55413 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540NPBF	文件：6.34203 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF9540NS	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9540NSPBF	文件：331.4 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A ) Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRF9540
功能描述：
MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	IRF9540		2015+		500	公司现货库存	询价
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