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IRF9540S_V02	文件：206.61 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast Switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provi 文件：206.61 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9540SPBF	文件：326.57 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：326.57 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9540_V01	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：159.11 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9540N	文件：334.83 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor 文件：334.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9540NL	文件：273.02 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：273.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9540NPBF	文件：928.06 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：928.06 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9540NPBF_15	文件：928.06 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：928.06 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9540NS	文件：297.37 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9540NS	文件：1.09268 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09268 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9540NS/L	文件：311.78 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：311.78 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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技术参数

OPN：
IRF9540NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
117 mΩ
ID @25°C max：
-23 A
QG typ @10V：
64.7 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF9540供应商更新时间2025-10-7 16:01:00

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