| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF9540NPBF,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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117000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
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500 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳权泰科技有限公司2年
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IRZIP |
8080 |
21+ |
原装现货实单必成 只做原装！ |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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362 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220AB |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSOC-6 |
20000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
27221 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
22953 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONNA |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRF9540采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF9540NSPBF价格
IRF9540NSPBF价格：￥2.1201品牌：INTERNATIONAL
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原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
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IRF9540NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9540功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_PDD功能描述:MOSFET Replaced by SFP9540/P-CH/100V/19A/0.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540L功能描述:MOSFET P-CH 100V 19A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9540NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF9540NL功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540NPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9540NS制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single P-Channel 100 V 3.8 W 97 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
