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IRF9540中文资料南晶电子数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF9540

功能描述

TO-220-3L Plas ti c-E n c a p s u late MOSFETS

文件大小

685.64 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

DGNJDZ

中文名称

南晶电子

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 22:59:00

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IRF9540规格书详情

FEATURES

·Drain Current –ID=-19A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= -100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) =0.2Ω(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    IRF9540

  • 功能描述:

    MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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