首页 >IRF8910PBF>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF8910PBF | HEXFET Power MOSFET 文件：249.12 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF8910PBF | Ultra-Low Gate Impedance 文件：290.62 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box 文件：290.62 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra-Low Gate Impedance 文件：290.62 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：256.23 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：256.23 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET， 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ， 无卤素\n• 符合MSL1，工业认证; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRF8910TRPBF-1
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
SO8
- VDS max：
20 V
- RDS (on) @10V max：
13.4 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
18.3 mΩ
- ID @25°C max：
10 A
- QG typ @4.5V：
7.4 nC
- Polarity：
N+N/N+N
- VGS(th) min：
1.65 V
- VGS(th) max：
2.55 V
- VGS(th)：
2.1 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
665 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
询价 | ||
IR |
2025+ |
SOP8 |
4000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
询价 | ||
IOR |
2016+ |
SOP8 |
1800 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
2660 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IOR |
25+ |
08+PB |
300 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
SOP8 |
37636 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
IR |
2026+ |
SOP8 |
24448 |
全新原管环保 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
7 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
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更新时间2026-3-16 19:20:00
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