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IRF8910PBF-1中文资料20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF8910PBF-1

功能描述

20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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IRF8910PBF-1规格书详情

特性 Features


优势:
• 工业标准引出线 SO-8 封装
• 与现有表面封装技术兼容
• 符合 RoHS , 无卤素
• 符合MSL1,工业认证

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8910PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF8910TRPBF-1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :20 V

  • RDS (on) @10V max

    :13.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :18.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :10 A

  • QG typ @4.5V

    :7.4 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :1.65 V

  • VGS(th) max

    :2.55 V

  • VGS(th)

    :2.1 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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