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IRF8721G中文资料无卤素和无铅 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF8721G

功能描述

无卤素和无铅 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-18 23:00:00

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IRF8721G规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount package
• Capable of being wave-soldered

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8721G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :8.5mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :8.5mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :12.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :11.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :14.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :8.3nC 

  • RthJA max

    :50.0K/W

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :3.2nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

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