IRF8910中文资料采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF8910规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 超低的栅极阻抗
• 双 N 通道 MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:IRF8910
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF8910TRPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:SO8
- VDS max
:20 V
- RDS (on) @10V max
:13.4 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
:18.3 mΩ
- ID @25°C max
:10 A
- QG typ @4.5V
:7.4 nC
- Polarity
:N+N/N+N
- VGS(th) min
:1.65 V
- VGS(th) max
:2.55 V
- VGS(th)
:2.1 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
IOR |
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SOP8 |
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IOR |
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SOP8 |
80000 |
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Infineon/英飞凌 |
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SO-8 |
25000 |
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IR |
24+ |
SOP-8 |
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IR |
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SOP-8 |
30000 |
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IOR |
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SOP8 |
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IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
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IR |
25+ |
SOP8 |
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全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SO-8 |
6820 |
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询价 |