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IRF8910中文资料采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF8910

功能描述

采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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IRF8910规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 超低的栅极阻抗
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8910

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF8910TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :20 V

  • RDS (on) @10V max

    :13.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :18.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :10 A

  • QG typ @4.5V

    :7.4 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :1.65 V

  • VGS(th) max

    :2.55 V

  • VGS(th)

    :2.1 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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