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IRF8707G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF8707G

功能描述

无卤素和无铅 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 10:44:00

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IRF8707G规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 电池保护
• 负载开关高边
• 负载开关低边

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8707G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :11.9mΩ

  • RDS (on) max

    :11.9mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :17.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.1A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :11.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.5W

  • QG 

    :6.2nC 

  • RthJA max

    :50.0K/W

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Tj max

    :150.0°C

  • Qgd 

    :2.2nC 

  • VGS max

    :20.0V

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