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IRF8513数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF8513

功能描述

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 10:32:00

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IRF8513规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 极低的栅极电荷
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8513

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :12.7mΩ

  • RDS (on) max

    :12.7mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :16.9mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :11.0A

  • QG 

    :7.6nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.4W

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Ptot max

    :2.4W

  • Qgd(typ) 

    :3.1nC 

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :20.0V

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