| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRF9530NPBF,IRF9530NSTR绝对正品现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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37388 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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IRTO 220 |
161391 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-263 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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VISHAYTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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VBsemi(微碧)TO-220AB-3 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
26071 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
16230 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18276 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263-2 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IRF9530采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF9530NPBF价格
IRF9530NPBF价格：￥1.3461品牌：International
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IRF9530NSTRLPBF资讯
IRF9530PBF 全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
IRF9530NPBF全新原装现货特价销售
IRF9530NPBF全新原装现货特价销售MOSFET
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IRF9530PBF 深圳市国利半导体有限公司
IRF9530PBF深圳市国利半导体有限公司http://glbdt.114ic.com联系人：农先生0755-83981553/82513961/83555756/83558419/QQ2850801937
IRF9530NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9530功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9530-220M制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
IRF9530L功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9530N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9530NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF9530NL功能描述:MOSFET P-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9530NLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN TO-262 - Bulk
IRF9530NLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -14A, 200 MOHM, 38.7 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 14A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P
IRF9530NPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
