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IRF9530S	文件：184.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitive avalanche rated DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It pro 文件：184.57 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9530S	文件：317.41 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel Mosfet Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.3Ω(Max) @ VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D 文件：317.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9530S	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provid 文件：198.36 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9530S	文件：22.71 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：22.71 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF9530S_V01	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • P-channel • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provid 文件：198.36 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9530SPBF	文件：1.00929 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET FEATURES • Surface Mount • Available in Tape And Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Lead-Free 文件：1.00929 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9530STRLPBF	文件：175.84 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It pro 文件：175.84 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9530SMD	文件：22.71 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：22.71 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF9530SPBF	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：198.36 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF9530STRLPBFA	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：198.36 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRF9530S
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 12 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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