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IRF9530S	文件：184.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitive avalanche rated DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530S	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530S	文件：317.41 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel Mosfet Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9530S	文件：22.71 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9530S_V01	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530SPBF	文件：1.00929 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeAndReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •P-Channel •175°COperatingTemperature •FastSwitching •Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530STRLPBF	文件：175.84 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530SMD	文件：22.71 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9530SPBF	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530STRLPBFA	文件：198.36 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF9530S
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 12 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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