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IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：823.61 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9530NSTRR	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：173.15 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRRPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530PBF	文件：3.52791 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：3.52791 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF9530NSTRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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