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IRF9530PBF	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9530PBF	文件：1.00298 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •LoadSwitchinHighCurrentApplications •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRF9530PBF	文件：390.18 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Powermanagementinnotebookcomputer •Portableequipmentandbatterypoweredsystems •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF9530PBF	文件：158.27 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetp	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRF9530PBF	文件：3.52791 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF9530PBF-BE3	文件：158.27 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetp	VishayVishay Siliconix 威世科技
9530	文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages	MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
AD9530	文件：979.91 Kbytes Page：41 Pages	4CMLOutput,LowJitterClockGenerator	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9530BCPZ	文件：979.91 Kbytes Page：41 Pages	4CMLOutput,LowJitterClockGenerator	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AOZ9530QV	文件：1.37319 Mbytes Page：13 Pages	28V/7ASmartMotorModule GeneralDescription TheAOZ9530QVisanintegratedhalf-bridgegatedriverwith smartfunctions.Thedeviceincludesonehalf-bridgegate driver,capableofdrivinghigh-sideandlow-sideN-channel MOSFETs.UsingtwoAOZ9530QVforsinglephasemotor driverandthreeAOZ9530QVforthreephase	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
C9530	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
C9530	文件：154.45 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
CYI9530ZXC	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CYI9530ZXCT	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
DTP9530	文件：2.43316 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
DTP9530	文件：265.29 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
ELM9530D-N	文件：76.31 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPWMstep-upDC/DCconverter	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司
ELM9530D-S	文件：76.31 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPWMstep-upDC/DCconverter	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司
ERF9530	文件：312.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
F9530N	文件：113.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRF9530PBF
功能描述：
MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF9530PBF	Vishay Siliconix	23+	TO-220AB	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	IRF9530PBF	VISHAY	15+	原厂原装	4900	进口原装现货假一赔十	询价
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更多IRF9530PBF供应商更新时间2024-4-25 15:27:00

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