IRF840S的特征：
表面贴装
可用于磁带和卷轴
动态dV / dt额定值
重复雪崩评级
快速切换
易平行
简单驱动要求
IRF840S的概述：
Vishay的第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速切换，
坚固耐用的器件设计，低导通电阻和成本效益的最佳组合。
D2PAK（TO-263）是一种表面贴装电源封装，
能够容纳高达HEX-4的芯片。
它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。
D2PAK（TO-263）适用于高电流应用，因为其内部连接电阻较低，
并且在典型的表面应用中可以消散高达2.0 W。
IRF840S的订购信息：
IRF840S的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）
IRF840S的封装说明：
IRF840S的同系列产品：
IRF840S IRF3610S IRFS4321 IRF2907ZS IRFS3207
IRF530NS IRFS3006 IRFS3107 IRFS3206 IRFS3207Z
IRFS3306 IRFS4010 IRFS4227 IRFS4229 IRFS4310
IRFS4410 IRLS3036 IRLS4030 IRF6215S IRFS4610
IRF1104S IRF4104S IRF9540NS IRL2505S IRF540NS
电子产品广泛用于：
IRF840S的一般信息
数据列表 IRF840S, SiHF840S;
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 *IRF840SPBF
IRF840S的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴小姐
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