存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量512Mb
存储器组织32M x 16
存储器接口并联
时钟频率400 MHz
写周期时间 - 字，页15ns
访问时间400 ps
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
工作温度0°C ~ 85°C（TC）
安装类型表面贴装型
封装/外壳84-TFBGA
供应商器件封装84-FBGA（8x12.5）
供应MT47H32M16NF-25E:HSDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb 并联 400 MHz 400 ps 84-FBGA（8x12.5）
2026-1-20 9:30:00
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供应MT47H32M16NF-25E:HSDRAM 80000PCS
供应商
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北京天阳诚业科贸有限公司
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王伟越
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