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IRF9Z34N	文件：108.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：108.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34N	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor 文件：335.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9Z34N	文件：1.07034 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Planar Technology 文件：1.07034 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9Z34NL	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：162.29 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NLPBF	文件：1.1075 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：1.1075 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NPBF	文件：245.08 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 POWER MOSFET HEXFET® Power MOSFET 文件：245.08 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NS	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：172.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NS	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：162.29 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NSL	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：172.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z34NSPBF	文件：1.1075 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：1.1075 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF9Z34NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
100 mΩ
ID @25°C max：
-19 A
QG typ @10V：
23.3 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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